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    布局3D NAND SanDisk與東芝擴建Fab 5

    2013-10-21 16:31 來源:電子信息網 作者:洛小辰

    SanDisk于日前表示,正與東芝(Toshiba)合力擴建位于日本三重縣四日市的五號半導體制造工廠(Fab 5)第二期工程,并共同展開3D NAND記憶體技術的研發,為2D NAND Flash記憶體制程將于10奈米(nm)節點面臨微縮瓶頸,預做準備。

    SanDisk亞太區副總裁吳家榮表示,隨著智能手機、平板裝置及超輕薄筆電(Ultrabook)配備NAND Flash和固態硬盤(SSD)比重不斷攀升,NAND Flash記憶體市場將持續供不應求,因而吸引各NAND Flash供應商紛紛投入擴產,以紓解供貨緊縮的問題。

    吳家榮進一步指出,該公司與東芝合資的五號半導體制造工廠,即將啟動第二期擴產計劃,將持續采用最先進的19奈米制程技術,預定于2014年下半年正式投產;此外,SanDisk亦將藉由該工廠進行3D NAND技術的研發。

    據了解,五號半導體制造工廠第二期擴產工程,一方面將導入19奈米制程投產2D NAND Flash存儲器;另一方面則采用BiCS(Bit Cost Scalable)技術試量產3D NAND存儲器,該技術標榜具備高性能、低成本且架構可擴充性的優勢,已于先前由東芝率先發表,而SanDisk已規劃采用該項技術,生產3D NAND閃存產品,并預計于2016年投產首款3D NAND存儲器。

    針對SanDisk是否會選用3D NAND記憶體技術發展10奈米以下的制程,吳家榮說明,該公司目前無法對外說明3D NAND存儲器技術的制程規劃藍圖,但可預見的是,相較于過去每一代NAND Flash制程節點差距動輒10奈米以上,進入19奈米以后,制程微縮的節點間隔將明顯縮小。

    顯而易見,2D NAND存儲器技術即將面臨發展瓶頸,而3D NAND存儲器將成為提高NAND Flash密度和降低成本的必然途徑,也因此,除東芝和SanDisk之外,三星(Samsung)、海力士(Hynix)及IM Flash Technologies亦已投入3D NAND存儲器技術布局。其中,三星預定于2014年量產3D NAND存儲器。

    東芝 SanDisk Fab5

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