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    意法半導體FD-SOI技術配備Memoir嵌入式存儲

    2013-11-19 11:47 來源:電子信息網 作者:和靜



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    比較:體校晶體管和FD-SOI晶體管


    據外媒 Electronicsweekly報道,Memoir Systems宣布已采用其算法內存技術為意法半導體獨有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator,全耗盡絕緣體上硅)技術,配備嵌入式存儲器。


    意法半導體負責設計支持和服務的副總裁Philippe Magarshack說:“就FD-SOI本身而言,FD-SOI配備了ASIC和SoC設計工具,從而實現最優性能的同時確保溫度不超過安全限制。而且較傳統制造技術,FD-SOI技術可在大幅提升性能的同時大幅降低功耗,因此ST-Ericsson選擇采用意法半導體的FD-SOI技術設計未來的移動平臺。“

    Memoir Systems作為第三方知識產權進一步表示:“我們正在讓FD-SOI更具吸引力,并演示其簡單的移動特點。“

    意法半導體ST將是FD-SOI技術的第一個半導體供應商。作為其獨有的 FD-SOI技術為意法半導體制造28納米和20納米芯片。同時,FD-SOI是一種擴展和簡化現有平面、體硅制造方法的新技術。而FD-SOI晶體管相比同等采用傳統CMOS工藝的晶體管,擁有更高的制造過程工作頻率,這源于FD-SOI技術提高了晶體管的靜電特性、縮短了溝道長度。

    Memoir首席執行官Sundar Iyer說:“內存技術的不斷突破縮短了設計時間,也提高了設計性能,這使我們的算法內存技術有能力內嵌入FD-SOI晶體管,這對于我們來說是一種承諾,這對我們和我們的客戶都是很重要的。期待FD-SOI技術更高性能突破,以實現更低工作功耗和更低待機功耗。”

    意法半導體 Memoir FD-SOI

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