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    意法半導(dǎo)體FD-SOI技術(shù)配備Memoir嵌入式存儲(chǔ)

    2013-11-19 11:47 來源:電子信息網(wǎng) 作者:和靜



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    比較:體校晶體管和FD-SOI晶體管


    據(jù)外媒 Electronicsweekly報(bào)道,Memoir Systems宣布已采用其算法內(nèi)存技術(shù)為意法半導(dǎo)體獨(dú)有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator,全耗盡絕緣體上硅)技術(shù),配備嵌入式存儲(chǔ)器。


    意法半導(dǎo)體負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)支持和服務(wù)的副總裁Philippe Magarshack說:“就FD-SOI本身而言,F(xiàn)D-SOI配備了ASIC和SoC設(shè)計(jì)工具,從而實(shí)現(xiàn)最優(yōu)性能的同時(shí)確保溫度不超過安全限制。而且較傳統(tǒng)制造技術(shù),F(xiàn)D-SOI技術(shù)可在大幅提升性能的同時(shí)大幅降低功耗,因此ST-Ericsson選擇采用意法半導(dǎo)體的FD-SOI技術(shù)設(shè)計(jì)未來的移動(dòng)平臺(tái)。“

    Memoir Systems作為第三方知識(shí)產(chǎn)權(quán)進(jìn)一步表示:“我們正在讓FD-SOI更具吸引力,并演示其簡(jiǎn)單的移動(dòng)特點(diǎn)。“

    意法半導(dǎo)體ST將是FD-SOI技術(shù)的第一個(gè)半導(dǎo)體供應(yīng)商。作為其獨(dú)有的 FD-SOI技術(shù)為意法半導(dǎo)體制造28納米和20納米芯片。同時(shí),F(xiàn)D-SOI是一種擴(kuò)展和簡(jiǎn)化現(xiàn)有平面、體硅制造方法的新技術(shù)。而FD-SOI晶體管相比同等采用傳統(tǒng)CMOS工藝的晶體管,擁有更高的制造過程工作頻率,這源于FD-SOI技術(shù)提高了晶體管的靜電特性、縮短了溝道長度。

    Memoir首席執(zhí)行官Sundar Iyer說:“內(nèi)存技術(shù)的不斷突破縮短了設(shè)計(jì)時(shí)間,也提高了設(shè)計(jì)性能,這使我們的算法內(nèi)存技術(shù)有能力內(nèi)嵌入FD-SOI晶體管,這對(duì)于我們來說是一種承諾,這對(duì)我們和我們的客戶都是很重要的。期待FD-SOI技術(shù)更高性能突破,以實(shí)現(xiàn)更低工作功耗和更低待機(jī)功耗。”

    意法半導(dǎo)體 Memoir FD-SOI

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