<del id="aymay"></del> 自去年7月以來，三菱電機發(fā)布了一系列碳化硅(SiC)功率模塊，這些產(chǎn)品將于今年6月18日至20日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展 2013(展位號：402)中隆重亮相。
眾所周知，目前市場上采用的功率模塊的IGBT芯片大多采用硅材料制造，但是業(yè)界對硅(Si)材料的性能利用已接近極限。與Si相比，SiC的禁帶寬度是Si的3倍，臨界擊穿電場強度是Si的10倍，電子飽和速率是Si的2倍。
與傳統(tǒng)的Si功率器件相比，SiC功率器件具有關(guān)斷拖尾電流極小、開關(guān)速度快、損耗低、耐高溫的特性。采用SiC功率器件開發(fā)電力電子變流器，能提高功率密度，縮小裝置體積;提升變流器效率;提高開關(guān)頻率，縮小濾波器體積;確保高溫環(huán)境下運行的可靠性;還易于實現(xiàn)高電壓大功率的設(shè)計。SiC功率器件可廣泛用于節(jié)能、高頻和高溫三大電力電子系統(tǒng)。
三菱電機迄今為止發(fā)布的SiC功率模塊，包括用于變頻空調(diào)的600V/15A混合SiC DIPIPMTM、600V/20A混合SiC DIPPFCTM、600V/20A全SiC DIPPFCTM，用于工業(yè)設(shè)備的1200V/75A混合SiC-IPM、1200V/800A全SiC模塊、600V/200A混合SiC-IPM，以及用于鐵路牽引的1700V/1200A混合SiC-HVIGBT。
SiC DIPIPM/DIPPFC 1200V/75A六單元混合SiC-IPM 1200V/800A全SiC半橋模塊
600V/200A六單元混合SiC-IPM 1700V/1200A混合SiC-HVIGBT
* 混合SiC模塊：主開關(guān)采用Si-IGBT，續(xù)流二極管采用SiC-SBD
* 全SiC模塊： 主開關(guān)采用SiC-MOSFET，續(xù)流二極管采用SiC-SBD
* DIPIPMTM： 三菱電機注冊商標，雙列直插式智能功率模塊
* DIPPFCTM： 三菱電機注冊商標，雙列直插式功率因數(shù)校正模塊
本次展會，除了展示以上SiC功率模塊，三菱電機還將同步展出多個系列的新型功率模塊，包括最新的工業(yè)用DIPIPMTM、家電用第6代DIPIPM TM、變頻冰箱用MOS-DIPIPM TM、新一代IPM、第6.1代IGBT模塊、第6代T型三電平IGBT模塊、第6代新型MPD模塊、R系列HVIGBT， J系列汽車用EV T-PM模塊和EV-IPM。
為了方便客戶采用新型功率模塊開發(fā)變流器產(chǎn)品，三菱電機還將展示多種變流器整體解決方案，包括基于第5代DIPIPM TM的變頻空調(diào)驅(qū)動器、基于MOS-DIPIPM TM的變頻冰箱驅(qū)動器、基于工業(yè)DIPIPMTM的伺服驅(qū)動器、風電變流器功率組件MPDStacK和100kW T型三電平并網(wǎng)逆變器等。
作為全球首家掌握功率半導體硅片技術(shù)和封裝技術(shù)的公司，三菱電機將積極致力于基于新材料的開發(fā)和應用，努力為電力電子業(yè)界奉獻高性能和高可靠性的功率半導體模塊。
