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    電源放大器總諧波失真加噪聲(THD+N)特性分析

    2013-10-22 10:47 來源:電子信息網 作者:洛小辰

    自上市以來,CMOS單電源放大器就讓全球的單電源系統設計人員受益非淺。影響雙電源放大器總諧波失真加噪聲(THD+N)特性的主要因素是輸入噪聲和輸出級交叉失真。單電源放大器的THD+N性能源于放大器的輸入和輸出級。然而,輸入級對THD+N的影響又讓單電源放大器的這種規范本身復雜化。

    有兩種單電源放大器拓撲可以接受電源之間的輸入信號。圖1a所示拓撲具有一個互補差動輸入級。在該拓撲中,放大器的輸入位于負軌附近時,PMOS晶體管為“開”,而NMOS晶體管為“關”。當放大器的輸入更接近于正電壓軌時,NMOS晶體管為“開”,而PMOS晶體管為“關”。


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    圖1: 互補輸入級、單電源放大器:a);帶一個正充電泵的單差動對輸入級:b)。


    這種設計拓撲在共模輸入范圍會存在極大的放大器失調電壓差異。在接地電壓附近的輸入范圍,PMOS晶體管的失調誤差為主要誤差。在正電源附近的區域,NMOS晶體管對主導失調誤差。由于放大器的輸入通過這兩個區域之間,因此兩個對均為“開”。最終結果是,輸入失調電壓將在兩個級之間變化。當PMOS和NMOS均為“開”時,共模電壓區域約為400mV。這種交叉失真現象會影響放大器的總諧波失真(THD)。如果您以一種非反相結構來配置互補輸入放大器,則輸入交叉失真就會影響放大器的THD+N性能。例如,在圖2中,如果不出現輸入過渡區域,則THD+N等于0.0006%。如果THD+N測試包括了放大器的輸入交叉失真,則THD+N等于0.004%。您可以利用一種反相結構來避免出現這類放大器交叉失真。


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    圖2:一個互補輸入級單電源放大器的THD+N性能。


    另一個主要的THD+N影響因素是運算放大器的輸出級。通常,單電源放大器的輸出級有一個AB拓撲(請參見圖1a)。輸出信號做軌至軌掃描時,輸出級顯示出了一種與輸入級交叉失真類似的交叉失真,因為輸出級在晶體管之間切換。一般而言,更高電平的輸出級靜態電流可以降低放大器的THD。

    放大器的輸入噪聲是影響THD+N規范的另一個因素。高級別的輸入噪聲和/或高閉環增益都會增加放大器的總THD+N水平。

    要想優化互補輸入單電源放大器的THD+N性能,可將放大器置于一個反相增益結構中,并保持低閉環增益。如果系統要求放大器配置為非反相緩沖器,則選擇一個具有單差動輸入級和充電泵的放大器更為合適。

    諧波失真 電源放大器

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