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    技術(shù)分享:MEMS 結(jié)構(gòu)氧傳感器的分析研究

    2013-10-21 16:04 來源:電子信息網(wǎng) 作者:蒲公英

    圖1是MEMS 結(jié)構(gòu)氧傳感器的示意圖。在P型硅襯底上熱氧化生長(zhǎng)SiO2 隔離層,采用LPCVD設(shè)備生長(zhǎng)多晶硅并光刻加熱電阻。為了控制加熱電阻的阻值,在多晶硅中摻入P。然后使用LPCVD法,在襯底正反兩面淀積Si3 N4 層,背面刻蝕腐蝕窗口,利用各向異性腐蝕技術(shù)刻蝕出硅杯。正面蒸Pt光刻得到叉指檢測(cè)電極。然后利用鈦靶采用交流磁控濺射鍍膜法,在檢測(cè)電極上生長(zhǎng)TiO2 敏感薄膜。可看到,該MEMS 結(jié)構(gòu)氧傳感器利用敏感膜下的磷多晶硅電阻作加熱器,采用了MEMS 的深刻蝕工藝, 從而減少器件的熱容量,降低功耗。把檢測(cè)電極和加熱電極合理設(shè)計(jì)成一體化器件,可以集成化生產(chǎn)、批量制作。整個(gè)芯片的尺寸為3 mm×3mm×0 .54 mm ,膜片厚度約為2 .5 μm,硅杯的杯底膜片尺寸為1 .4 mm× 1 .4 mm, 敏感膜片大小為0 .72mm×0 .72 mm。MEMS 結(jié)構(gòu)的TiO2 氧傳感器的工藝流程圖如圖2 所示。

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    TiO2 是寬禁帶半導(dǎo)體,禁帶寬度在3 eV 以上。在真空制備TiO2 半導(dǎo)體時(shí),當(dāng)氧分壓較低時(shí),在TiO2 中產(chǎn)生大量的氧空位,構(gòu)成N 型半導(dǎo)體 。TiO2 薄膜的氧敏機(jī)理是作為施主中心的氧空位隨外界氧分壓的變化而變化,從而引起了材料電阻率的變化。氧空位的變化是通過TiO2 表面的氧吸附平衡而實(shí)現(xiàn)的。TiO2 表面對(duì)氧氣的吸附過程首先是氧吸附于TiO2 表面的物理吸附,然后過渡到化學(xué)吸附,最后進(jìn)入常晶格的氧位置。隨著氧分壓的上升,TiO2 吸附的氧越來越多,氧空位也越來越少,所以電阻也逐漸增大。利用質(zhì)量作用關(guān)系,得到二氧化鈦的電導(dǎo)率與氧分壓P 的關(guān)系為:σ = Aμn eP^(- 1/x)

    其中:A是質(zhì)量作用常數(shù),是和氧空位濃度有關(guān)的系數(shù);σ是TiO2 的電導(dǎo)率;μn 是電子遷移率;P 為氧分壓;隨著離子缺陷的本質(zhì)及電離情況,x 的值在4~6 之間變化。

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    氧傳感器

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