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    SK海力士宣布量產世界最高238層4D NAND閃存

    2023-06-08 13:35 來源:美通社 作者:電源網

    韓國首爾2023年6月8日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司',https://www.skhynix.com)8日宣布,已開始量產238層4D NAND閃存,并正在與生產智能手機的海外客戶公司進行產品驗證。此前,公司于去年8月成功開發出世界最高238層NAND閃存。

    SK海力士開始量產的世界最高238層4D NAND閃存和解決方案產品 
    SK海力士開始量產的世界最高238層4D NAND閃存和解決方案產品

    SK海力士強調:"公司以238層NAND閃存為基礎,成功開發適用于智能手機和PC的客戶端SSD(Client SSD)解決方案產品,并在5月已開始量產。公司在176層甚至在238層產品,都確保了成本、性能和品質方面的世界頂級競爭力,期待這些產品在下半年能夠起到改善公司業績的牽引作用。"

    238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片,生產效率比上一代的176層提升了34%,成本競爭力得到了大幅改善。此產品的數據傳輸速度為每秒2.4Gb(千兆比特),比上一代的速度快50%。并且也改善了約20%的讀寫性能,由此公司自信,可將為采用該產品的智能手機和PC客戶提供更高的性能。

    SK海力士計劃在完成智能手機客戶公司的驗證后,首先向移動端產品供應238層NAND閃存,隨后將其適用范圍擴大到基于PCIe 5.0*的PC固態硬盤(SSD)和數據中心級高容量固態硬盤產品等。

    *PCIe 5.0:PCIe(Peripheral Component Interconnect Express)是為高速輸入、輸出數據而開發的串行結構的接口規格。PCIe 5.0可提供PCIe 4.0的二倍帶寬(32GT/s,千兆傳輸/秒)。

    SK海力士238層NAND擔當副社長金占壽表示:"公司今后將繼續突破NAND閃存技術局限,并加強競爭力,在即將到來的市場反彈周期迎來大轉機。"

    關于SK海力士
    SK海力士總部位于韓國,是一家全球領先的半導體供應商,為全球客戶提供DRAM(動態隨機存取存儲器),NAND Flash(NAND快閃存儲器)和CIS(CMOS圖像傳感器)等半導體產品。公司于韓國證券交易所上市,其全球托存股份于盧森堡證券交易所上市。若想了解更多,請點擊公司網站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn

    SK海力士 238層 4D NAND閃存

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