<del id="aymay"></del> 德州儀器(TI)氮化鎵解決方案高級技術戰略經理 Masoud Beheshti 近期發布了一篇標題為《德州儀器用2000萬個小時給出使用氮化鎵（GaN）的理由》的技術文章。以下是文章全文：
在多倫多一個飄雪的寒冷日子里。
我們幾個人齊聚在本地一所大學位于地下的高級電力電子研究實驗室中，進行一場頭腦風暴。有點諷刺意味的是，話題始終圍繞著熱量，當然不是要生熱取暖，而是如何減少功率轉換器產生的熱量。我們已經將MOSFET和IGBT分別做到了極致，但是我們中沒有人對此感到滿意。在這個探討過程中，我們盤點了一系列在高壓環境中失敗的設備。
在那個雪花漫天飛舞的日子里，我們聚焦于選擇新方法和拓撲，以尋求獲得更高的效率和密度，當然也要找到改進健全性的途徑。一位高級研究員幫助總結了我們面前的挑戰：“我們能實現所有這些設想。但首先，請給我完美的電源開關。”這句話里蘊含著的半是沮喪，半是希望。
而在數年后，堪稱完美的電源開關終于問世。2018年，我們發布了600-V 氮化鎵(GaN) FET系列產品，包括LMG3410R070、LMG3411R070和LMG3410R050，它們具有集成式驅動器和保護裝置。每件設備都能做到兆赫茲開關和提供數千瓦功率 - 這實現了前所未有的更小巧和更高效率的設計。
在正式發布之前，TI投入大量人力物力， 累計進行了超過2000萬小時的設備可靠性測試，使得電源設計工程師可以更放心地在各種電源應用中使用氮化鎵。
TI高壓電源應用產品業務部氮化鎵功率器件產品線經理 Steve Tom先生展示氮化鎵產品
“完美電源開關”的飄然而至
TI始終引領著提倡開發和實施全面性方法，確保在嚴苛操作環境下，GaN設備也能夠可靠地運行和具有出色的使用壽命。為此，我們用傳統的硅方法制作GaN的硅基，從而利用硅的內在特性。此外，壓力測試需要包括常見于開關電源設備的硬開關工作模式，而這恰恰是傳統硅晶體管無法解決的問題。TI的測試主要集中于以下四個領域：
?設備可靠性：符合設備的工程設計；構建設備內在的使用壽命。
?應用健全性：在加速環境下，整合任務剖面條件，模擬真實應用情形。
?制造：專注于生產流程優化和產能改進。
?符合電子工程設計發展聯合協會(JEDEC)質量要求：通過提速測試設備質量和存活能力，來預見產品的低缺陷率和故障率。
德州儀器：四個測試領域
2000萬小時設備可靠性測試與計量
此外，2017年是電力電子行業振奮人心的里程碑之年。 JEDEC宣布制定完成了JC-70.1，它規范了GaN的可靠性和質量認證流程、數據資料表、參數以及測試和特性表征方法。德州儀器公司是JC-70.1標準的創始人與積極倡導者之一，基于2000萬小時的可靠性測試，TI始終致力于幫助整個行業，進一步從我們提供的方法論、專業技術和高科技知識中獲益。
完美的電源開關不再是幾個人在冰冷地下研究室中的奢望。夢已成真。新穎的電源開關使設計人員能夠充分發揮他們的能力：讓產品達到史無前例的功率密度和效率。
