<del id="aymay"></del> 中國(guó)上海 2016年3月21日 日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝（Toshiba）旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布，攜旗下領(lǐng)先的工業(yè)電子、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用及汽車(chē)電子等眾多技術(shù)和產(chǎn)品成功亮相2016年慕尼黑上海電子展。東芝本次參展的主題為“共筑‘安心’、‘安全’、‘舒適’的美好社會(huì)”，高度契合了中國(guó)發(fā)展的現(xiàn)狀和行業(yè)趨勢(shì)，受到了業(yè)內(nèi)同仁們的一直好評(píng)；其憑借雄厚技術(shù)實(shí)力展出的面向工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)等應(yīng)用的技術(shù)、產(chǎn)品和解決方案更是受到了到場(chǎng)觀(guān)眾們的追捧。
東芝已連續(xù)3年參加慕尼黑上海電子展，每次都帶來(lái)不斷創(chuàng)新的技術(shù)和產(chǎn)品。此屆展會(huì)東芝同樣舉辦了媒體見(jiàn)面會(huì)，邀請(qǐng)了業(yè)界各領(lǐng)域知名媒體，由東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)部總經(jīng)理兼技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)吉本健先生、東芝電子（中國(guó)）有限公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理田中基仁先生、東芝電子亞洲有限公司副董事長(zhǎng)野村尚司先生，向業(yè)內(nèi)闡述東芝半導(dǎo)體對(duì)技術(shù)趨勢(shì)的理解、對(duì)應(yīng)用市場(chǎng)的看法和對(duì)中國(guó)市場(chǎng)的規(guī)劃。
東芝電子（中國(guó)）有限公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理田中基仁先生說(shuō)道：“東芝一直相信并堅(jiān)持無(wú)論科技如何發(fā)展，它一定要落實(shí)到為人們生活提供服務(wù)，這也是我們此次提出‘共筑美好社會(huì)’的基石。東芝通過(guò)此次在工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)以及汽車(chē)電子等三個(gè)領(lǐng)域展出的技術(shù)和產(chǎn)品為‘共筑美好社會(huì)’提供了科技基礎(chǔ)。從社會(huì)體系到每一個(gè)人，東芝半導(dǎo)體的支持無(wú)所不在。”
本次展出的明星產(chǎn)品有：
工業(yè)：面向電鐵、電力轉(zhuǎn)換、工業(yè)用變頻器的大型IGBT模塊；采用高效率高性能SiC的新一代功率半導(dǎo)體器件；有助于提高設(shè)備節(jié)能的低損耗MOSFET；廣泛應(yīng)用于電源系統(tǒng)的分立器件產(chǎn)品線(xiàn)；通過(guò)硬件進(jìn)行矢量引擎控制。
東芝此次參展產(chǎn)品的一大亮點(diǎn)是展出了采用第三代半導(dǎo)體技術(shù)的代表-SiC材料的器件。SiC具有大禁帶寬度、高臨界場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率和高載流子飽和速率等特性，其品質(zhì)因數(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了其他材料，因而成為制造高功率器件、高頻器件、高溫器件和抗輻照器件最重要的半導(dǎo)體材料。SiC材料在東芝產(chǎn)品中的廣泛使用將進(jìn)一步夯實(shí)東芝在功率器件方面的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，并且為未來(lái)發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。東芝目前將SiC材料應(yīng)用在1000伏以上的工業(yè)、能源等大功率產(chǎn)品。
東芝在原有IGBT的基礎(chǔ)上通過(guò)采用“注入增強(qiáng)結(jié)構(gòu)（IE：Injection Enhanced）”技術(shù)實(shí)現(xiàn)了低通態(tài)電壓，推出專(zhuān)利產(chǎn)品IEGT。由于其采用了SiC-SBD新材料，具有低導(dǎo)通電阻和低開(kāi)關(guān)損耗等特性，實(shí)現(xiàn)了大功率變頻器的節(jié)能，而且其優(yōu)勢(shì)隨著大功率項(xiàng)目功率等級(jí)和電壓等級(jí)的不斷提高而逐步提升。IEGT控制的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電流小，它既能減少系統(tǒng)的損耗，也能提高元件的使用壽命，且IEGT調(diào)速空載時(shí)系統(tǒng)損耗低，符合綠色節(jié)能的要求，使得系統(tǒng)運(yùn)行成本更為經(jīng)濟(jì)。東芝的IEGT已經(jīng)在為中國(guó)電力轉(zhuǎn)換設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效、節(jié)能、輕小型的目標(biāo)做出貢獻(xiàn)。
東芝的IEGT除采用了SiC材料之外，在封裝上還采用了PMI（塑料模塊）和東芝獨(dú)有的PPI（壓接式）兩種方式。塑料模塊式封裝采用螺紋連接，它具有方便拆卸的特性;壓接式封裝具有無(wú)焊層、無(wú)引線(xiàn)鍵合、雙面水冷散熱和失效短路的特點(diǎn)。這兩種封裝的采用，使得東芝的IEGT器件具有更低的熱阻、更高的工作結(jié)溫、更低的寄生電感、更寬的安全工作區(qū)和更高的可靠性，在減少器件的同時(shí)大幅提高了功率密度和系統(tǒng)可靠性。
東芝此次還帶來(lái)了市場(chǎng)份額第一的光耦器件，新的LED技術(shù)使得東芝的光耦得以滿(mǎn)足多種技術(shù)條件，如具備使用壽命長(zhǎng)，可靠性高以及工作溫度高等特點(diǎn)，其原生的低功耗設(shè)計(jì)使得東芝的光耦更節(jié)能。其新的封裝形式可以使器件直接貼裝在PCB板的背面，為系統(tǒng)節(jié)約空間。
物聯(lián)網(wǎng)：業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低功耗藍(lán)牙分布式網(wǎng)絡(luò)技術(shù)；具有48層堆疊技術(shù)的3D閃存BiCS FLASH?；具有高可靠性、且支持NVMeTM接口的新型單一封裝SSD；近距離無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)TransferJet?；在世界79國(guó)取得認(rèn)證的搭載無(wú)線(xiàn)LAN功能的SD存儲(chǔ)卡FlashAirTM；可處理各種傳感器數(shù)據(jù)的應(yīng)用處理器ApP Lite?。
