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    用于車載USB供電的非同步BUCK控制器[2]

    2014-02-15 14:09 來源:電子信息網 作者:蒲公英

    5.MOSFET選擇

    MOSFET承受的最高電壓為VINMAX,考慮到拋負載保護,選取耐壓40V以上的MOS。MOSFET的損耗,可由以下公式估算,

    導通損耗:

    1-5

    開關損耗

    2-5

    3-5

    tON、tOFF為MOSFET開通和關斷時間。

    ISINK:為驅動下拉電流,NCV8852的驅動下拉電流典型值為200mA.

    ISRC:為驅動的輸出電流,NCV8852的驅動輸出電流典型值為200mA

    選取安森美半導體的NVTFS5116PL,耐壓60V,導通電阻Rdson=52mΩ@VGS=10V,QGD=8nC,封裝u8FL,參考熱阻(芯片結溫到環境溫度)47℃/W。

    由QGD可先計算出MOSFET的開通關斷時間為:

    4-5

    計算MOSFET功耗:

    在最高輸入電壓下

    5-5

    6-5

    MOSFET的結溫為

    7-5

    TA_MAX為最大環境溫度,車載USB電源一般要求為85℃。150℃為最大結溫。

    在最低輸入電壓下

    8-5

    MOSFET的結溫為

    9-5

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    車載USB供電 BUCK控制器

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